A orbitrônica, um análogo da spintrônica que opera com o momento angular orbital dos elétrons, embora embrionária, vem despertando crescente interesse. No magnetismo, por exemplo, a contribuição orbital para o momento magnético dos sólidos pode ser mais significativa do que a contribuição do spin. O magnetismo orbital foi visto em interfaces de óxido de metal de transição e pode explicar o magnetismo em bicamadas rodadas de grafeno, mostrando que os efeitos orbitais podem ser significativos num conjunto diversificado de materiais 2D, o que poderia ser ideal para a orbitrônica. O efeito Hall orbital (OHE) refere-se à criação de um fluxo transversal de momento angular orbital que é induzido por um campo elétrico longitudinal, em analogia com o efeito Hall de spin (SHE). Neste seminário, mostraremos que monocamadas e bicamadas de dicalcogenetos de metal de transição (TMD) como MoS2 e WSe2, exibem OHE na sua fase isolante. A condutividade Hall orbital apresenta um plateau no gap semicondutor destes materiais que pode ser associado a uma fase topológica caracterizada por um número de Chern orbital. Nossos resultados abrem a possibilidade de usar TMDs para injeção de corrente orbital e transferência de torque orbital que superam seus equivalentes de spin.

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